三星将首发160层闪存 中国刚突破128层QLC闪存

来源:快科技 发布时间:2020-04-20 17:11:39 作者:admin 阅读量:304

上周中国的长江存储公司宣布攻克 128 层 3D 闪存技术, QLC 类型容量做到了 1.33Tb 容量 ,创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进,三星等公司也没闲着,三星正在开发 160 堆栈的 3D 闪存。



闪存芯片

对 3D 闪存来说,堆栈层数越多,容量就越大,存储密度就越高,这是 3D 闪存的核心竞争力, 2020 年全球将大规模量产 100+ 层的 3D 闪存 。

不过每家的技术方案不同,东芝、西数的 BiCS 5 代 3D 闪存是 112 层的,美光、 SK 海力士有 128 层的, Intel 的是 144 层,而且是浮栅极技术的, 三星去年推出的第六代 V-NAND 闪存做到了 136 层, 今年也是量产的主力。

在 136 层之后, 三星目前正在研发 160 层及以上的 3D 闪存,将成为第七代 V-NAND 闪存的基础。



目前 160 层 + 的 3D 闪存还没有详细的技术信息,韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈( single-stack )升级到双堆栈( double-stack ),以便制造更高层数的 3D 闪存。

考虑到三星在 NAND 闪存行业占据了超过 1/3 的份额,实力是最强的,不出意外 160+ 层堆栈的闪存应该也会是他们首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。

对了,单从层数上来说,三星的 160 层 + 还不是最高的, SK Hynix 去年宣布正在研发 176 层堆栈的 4D 闪存 ,不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同,不能单看层数高低。

【来源:快科技】【作者:宪瑞】

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